SiC-MOSFETを用いた400kW-200kHz高周波誘導加熱電源の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-020

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Development of 400kW-200kHz Induction Heating Power Supply with SiC-MOSFET

著者名: 金井 隆彦(高周波熱錬),小野 徹也(高周波熱錬),生田 文昭(高周波熱錬),三阪 佳孝(高周波熱錬),川嵜 一博(高周波熱錬),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Takahiko Kanai(NETUREN Co.,Ltd.),Tetsuya Ono(NETUREN Co.,Ltd.),Fumiaki Ikuta(NETUREN Co.,Ltd.),Yositaka Misaka(NETUREN Co.,Ltd.),Kazuhiro Kawasaki(NETUREN Co.,Ltd.),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: SiC-MOSFET|高周波誘導加熱電源|寄生インダクタンス

要約(日本語): 大容量SiC-MOSFETを使用して400kW-200kHz高周波誘導加熱電源を開発実用化した。SiC素子の特徴である高耐圧、低損失を活かし従来のSi素子と比較して電源の損失を半減させた。しかし更なる高周波側でSiC素子を動作させるには、素子のパッケージが持つ寄生インダクタンスの低減が必要となるので、SiC素子のさらなる性能向上を期待したい。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 321 Kバイト