厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFET三相インバータの特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-100

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Evaluation of an SiC-MOSFET Three-Phase Inverter Using Multilayer Printed Circuit Boards with Thick Copper Layers

著者名: 石川 光亮(北海道大学),小笠原 悟司(北海道大学),竹本 真紹(北海道大学),折川 幸司(北海道大学)

著者名(英語): Kohsuke Ishikawa(Hokkaido University),Ogasawara Satoshi(Hokkaido University),Masatsugu Takemoto(Hokkaido University),Koji Orikawa(Hokkaido University)

キーワード: インバータ|SiC-MOSFET|多層プリント基板

要約(日本語): 近年，パワーエレクトロニクス機器の性能向上に伴い，SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが研究・開発されている。これらの次世代半導体デバイスは，従来のSiデバイスと比較して，低損失・高周波動作可能である。しかし，デバイスのスイッチング速度が向上するにつれて，動作速度やサージ電圧に起因する主回路の配線インダクタンスのおよぼす影響が大きくなることが懸念される。従来から，この配線インダクタンスを低減するために，ラミネートバスバーやデバイスのパッケージングにおいて対策が講じられてきた。本論文では，先に開発した厚銅多層基板を主回路に用いて，配線インダクタンスを30 nH程度まで低減したSiCインバータについて，スイッチング特性と効率を測定したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 428 Kバイト