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SJ-MOSFETのターンオフにおけるノイズシミュレーション

SJ-MOSFETのターンオフにおけるノイズシミュレーション

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-139

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Turn-off Noise Simulation of the SJ-MOSFET

著者名: 安住 壮紀(東芝),山下 浩明(東芝),小野 昇太郎(東芝),松毛 和久(東芝)

著者名(英語): Takenori Yasuzumi(Toshiba, Ltd.),Hiroaki Yamashita(Toshiba, Ltd.),syotaro Ono(Toshiba, Ltd.),Kazuhisa Matsuge(Toshiba, Ltd.)

キーワード: SJ-MOSFET|ノイズ|シミュレーション|SPICE

要約(日本語): SJ-MOSFETのスイッチング動作時に発生する電磁ノイズについて,発生メカニズムを実機の等価回路シミュレーションにより分析した結果について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 504 Kバイト

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