SiCデバイスを用いた絶縁型AC/DCコンバータの伝導性ノイズの検討
SiCデバイスを用いた絶縁型AC/DCコンバータの伝導性ノイズの検討
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-142
グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集
発行日: 2017/03/05
タイトル(英語): Consideration of conducted noise reduction at isolated AC/DC converter using SiC device
著者名: 川村 勇貴(名古屋工業大学),田中 英俊(名古屋工業大学),鈴木 一馬(名古屋工業大学),北川 亘(名古屋工業大学),竹下 隆晴(名古屋工業大学)
著者名(英語): Yuki Kawamura(Nagoya Institute of Technology),Hidetoshi Tanaka(Nagoya Institute of Technology),Kazuma Suzuki(Nagoya Institute of Technology),Wataru Kitagawa(Nagoya Institute of Technology),Takaharu Takeshita(Nagoya Institute of Technology)
キーワード: SiC|絶縁型AC/DCコンバータ|伝導性ノイズ|高周波漏れ電流
要約(日本語): 近年、SiCのような高速電力用半導体素子の発展に伴って、PWMを用いたAC/DCコンバータのキャリア周波数の高周波化が進み、高周波漏れ電流や電磁障害(EMI)が問題となっている。そこで、本論文では安全面を考慮した絶縁型AC/DCコンバータを用いて、高周波トランスにおける浮遊容量を介した漏れ電流の分離方法を提案し、その実験システムの有用性を雑音端子電圧の測定結果から示した。また、一回のスイッチングによる漏れ電流波形をRLC回路に近似し、換算した雑音端子電圧のシミュレーション結果を測定結果と比較することで本解析法の有用性を示した。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 413 Kバイト
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