撚りピッチに依存する撚線の臨界電流特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 5-140

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Critical Current Properties of Twisting Wire Depending on Twisted Pitch

著者名: 上林 昌弘(上智大学),安藤 憲之介(上智大学),水落 空(上智大学),神保 茉那(上智大学),高尾 智明(上智大学),谷貝 剛(上智大学),新冨 孝和(高エネルギー加速器研究機構),槇田 康博(高エネルギー加速器研究機構),濱島 高太郎(東北大学),木須 隆暢(九州大学)

著者名(英語): Masahiro Kamibayashi(Sophia University),Kennosuke Ando(Sophia University),Sora Mizuochi(Sophia University),Mana Jimbo(Sophia University),Tomoki Takao(Sophia University),Tsuyoshi Yagai(Sophia University),Takakazu Shintomi(High Energy Accelerator Research Organization),Yasuhiro Makida(High Energy Accelerator Research Organization),Takataro Hamajima(Tohoku University),Takanobu Kiss(kyushu University)

キーワード: MgB2|撚線|臨界電流|歪

要約(日本語): MgB2線の応用例の一つとして、私たちの提案する先進超伝導電力変換システム(ASPCS)が1 MW出力するためには，SMESの貯蔵エネルギーは50 MJを想定し、その定格電流は2.2 kAである。本研究では、異なる撚りピッチを持つ3本撚線を作成し、ほぐした素線のIC測定を行うことでフィラメントに加わる歪と臨界電流特性の関係を調査した。撚りピッチが短いほど劣化は大きく，電流特性はフィラメントに加わる歪に依存していると考えられる。また、LP = 13.5 mm の撚り解し素線の断面を観察した結果、一部のフィラメントでNbバリアの破損が確認された。これによりMgB2の生成率が減少し、臨界電流特性が劣化したと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 387 Kバイト