微小欠陥を含むエポキシの低電界V-t特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-020

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): V-t Characteristics of Epoxy Insulator with Internal Crack-shaped Micro-defects under Low Electric Field

著者名: 植田 玄洋(東京電力ホールディングス),和田 純一(東京電力ホールディングス),清水 芳則(三菱電機),井波 潔(三菱電機),亀井 光仁(三菱電機)

著者名(英語): Genyo Ueta(Tokyo Electric Power Company Holdings, Inc.),Junichi Wada(Tokyo Electric Power Company Holdings, Inc.),Yoshinori Shimizu(Mitsubishi Electric Corporation),Kiyoshi Inami(Mitsubishi Electric Corporation),Mitsuhito Kamei(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ガス絶縁開閉装置（GIS）|エポキシ|微小欠陥|クラック|部分放電|V-t特性

要約(日本語): 現在，ガス絶縁開閉装置（GIS）の高経年化が進みつつあり，その健全性の見極めが重要となってきている。GISの絶縁面での寿命を決める支配的要因の一つとして，絶縁スペーサの劣化が考えられる。GISを長期に信頼性を保ちつつ使用するには，経年による絶縁物の劣化特性を把握する必要がある。本課題に対し，これまでエポキシ絶縁物中に微小クラック欠陥が存在した場合の劣化特性（V-t特性）を電界加速試験および周波数加速試験により取得してきた。これらの試験は，比較的短時間から1年程度以内での破壊特性であり，今回は更に低電界領域での長時間V-t特性を取得したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト