限流抵抗方式を用いたSiC-MOSFET型直流モデル遮断器の直流電流遮断とチップ温度推定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-049

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Applying Current Limiting Resistor Mode to SiC-MOSFET Model Circuit Breaker and Tip-Temperature Estimation

著者名: 玉尾 一真(名古屋大学),日比野 真也(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)

著者名(英語): Kazuma Tamao(Nagoya University),Naoya Hibino(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)

キーワード: 遮断器|SiC-MOSFET|低圧直流

要約(日本語): 筆者らはIGBTやSiC-MOSFET等を用いた低圧直流用遮断器を試作し，その特性評価を行ってきた。さらに，限流遮断過程においてSiC-MOSFET型モデル遮断器のゲート・ソース間(G-S間)電圧を二段階で低下させる方式，すなわちTwo-step methodを提案してきた。本方式では，G-S間電圧を初期期間では小さい時定数で，次期間では大きな時定数で低下させる。本稿では，新たに限流抵抗を具備した回路構成である限流抵抗方式を考案し，モデル器に直流電流の遮断責務を課した。電流遮断過程における素子のチップ温度を導出し，限流抵抗方式はチップ温度の低下および遮断限界の向上を達成していることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 702 Kバイト