SiC-MOSFET型直流用モデル遮断器へのゲート・ソース間電圧2段階低下方式の適用と遮断限界測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-060

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Applying Two-step Reduction Method of Gate-Source Voltage to SiC-MOSFET Model Circuit Breaker and Measurement of its Direct Current Interrupting Limitation

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),日比野 真也(名古屋大学),玉尾 一真(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Naoya Hibino(Nagoya University),Kazuma Tamao(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)

キーワード: 遮断器|直流|パワー半導体|SiC

要約(日本語): 筆者らはSiC-MOSFET型直流用モデル遮断器にゲート・ソース間電圧を2段階で低下させる方式，すなわちTwo-step methodを適用し，その突入電流遮断実験を行った。本実験ではゲート・ソース間電圧を20Vに保ち，遮断時は時定数0.05msで15Vまで高速に低下させた後，時定数5msで0Vまでゆっくりと低下させることで，直流電流を限流遮断する。回路全体のインダクタンス値は0.17,1.4及び4.2mHの3通りとし，モデル器にピーク値が80Aから270Aまでの突入電流の遮断責務を課した。実験の結果，回路インダクタンス値0.17及び4.2mHにおいては，ピーク値220Aの遮断に失敗し遮断限界は200Aとなった。回路インダクタンス値1.4mHでは，遮断限界は260Aと測定された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 380 Kバイト