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ZnO上マイクロギャップフラッシオーバの印加電圧極性依存性

ZnO上マイクロギャップフラッシオーバの印加電圧極性依存性

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-095

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Applied Voltage Polarity Dependence of Flashover in Micrometer-scale gap on ZnO

著者名: 谷 直樹(兵庫県立大学),岡田 翔(兵庫県立大学),上野 秀樹(兵庫県立大学)

著者名(英語): Naoki Tani(University of Hyogo),Sho Okada(University of Hyogo),Hideki Ueno(University of Hyogo)

キーワード: ZnO,フラッシオーバ電圧,マイクロギャップ,三重点,沿面放電

要約(日本語): 近年のウェアラブル機器の普及に伴い、ESD保護デバイスの重要性が増している。本研究ではESD保護デバイスの新たな仕組みとしてZnO上マイクロギャップ放電の利用を考えている。基礎的な特性の把握として硼珪酸ガラス上およびZnO上ギャップにおけるフラッシオーバ電圧とギャップ長の関係を調査した。その結果,ZnO上正極性フラッシオーバ電圧は,ギャップ長 5-40 μmの範囲においてパッシェン最小値(330V)以下であった。したがって,ZnO上のフラッシオーバには低放電電圧領域広域化の可能性があることが示唆された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 393 Kバイト

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