中央部からO2を導入したループ型Ar誘導熱プラズマの電磁熱流体解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-098

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル：中央部からO₂を導入したループ型Ar誘導熱プラズマの電磁熱流体解析

タイトル(英語): Magnetohydro-Thermofluid Simulation on Ar Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas with Oxygen Gas Injection from the Center Port

著者名: 藤田 敦士(金沢大学),土谷 拓光(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Atsushi Fujita(Kanazawa University),Takumi Tsuchiya(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Isijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ,ループ型,電磁熱流体解析

要約(日本語): 筆者らは，熱プラズマによる大面積にわたる超高速処理を目指し，これまでにループ型誘導熱プラズマ(Loop-ICTP)装置を開発している。この装置はループ型トーチを円型コイルにより挟み込み，トーチ面に垂直な交番磁界を印加して誘導熱プラズマを維持するものである。このLoop-ICTPの一部を基板の表面上に生成することにより，基板表面の高速処理が可能となる。実際，Ar/O₂ Loop-ICTP照射により，Si基板上の長さ80 mmにわたって100 nm/minの超高速酸化が可能であることを確認している。本報では，トーチ中央部からO$_2$ガスを導入したループ型Ar誘導熱プラズマの3次元電磁熱流体解析モデルを構築し，ループ管内および基板上のガス温度およびO₂質量分率分布を検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 971 Kバイト