変調誘導熱プラズマ照射による多結晶ダイヤモンド膜堆積へのCH4/H2流入量の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-117

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル：変調誘導熱プラズマ照射による多結晶ダイヤモンド膜堆積へのCH₄/H₂流入量の影響

タイトル(英語): Influence of CH₄/H₂ Gas Flow Rate to Modulated Induction Thermal Plasmas on Polycrystalline Diamond Deposition

著者名: 荒井 隆志(金沢大学),別院 利城(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学)

著者名(英語): Takashi Arai(Kanazawa University),Toshiki Betsuin(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishizima(Kanazawa University)

キーワード: 変調誘導熱プラズマ,原料ガス流入量,多結晶ダイヤモンド膜生成

要約(日本語): 本報告では，Si基板に，変調誘導熱プラズマ(MITP)を照射して多結晶ダイヤモンド膜生成実験をおこなった。誘導熱プラズマ(ICTP)は，高温かつ熱容量が大きく，クリーンな反応場を生成できるという利点から，超高速材料プロセスへの応用が期待されている。筆者らは，このICTP をダイヤモンド膜生成に応用することを考えている。これまでの実験から，MITP照射時のほうが無変調ICTP照射時より基板表面に一様に多結晶ダイヤモンド膜が生成できた。今回，MITPの高温部に流入する原料ガス CH₄/H₂の流量を変更してSi基板に照射することで，多結晶ダイヤモンド膜生成に及ぼす影響を検討した。その結果，CH₄/H₂の流量を増やすことで，多結晶ダイヤモンド膜の生成レートが向上した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 956 Kバイト