Si/Cナノ粒子生成用誘導熱プラズマ装置下流部へのAr+CH4クエンチングガス導入による空間冷却効果の数値解析的検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-118

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Numerical Study on Cooling E?ect of Temperature inside Reaction Chamber by Ar/CH 4 Quenching Gas Injection in the Induction Thermal Plasma System for Si/C Nanopowder Synthesis

著者名: 清水 光太郎(金沢大学),石坂 洋輔(金沢大学),隠田 一輝(金沢大学),兒玉 直人(金沢大学),田中 康規(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学)

著者名(英語): Kotaro Shimizu(Kanazawa university),Yosuke Ishisaka(Kanazawa university),Kazuki Onda(Kanazawa university),Naoto Kodama(Kanazawa university),Yasunori Tanaka(Kanazawa university),Tatsuo Ishijima(Kanazawa university),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa university)

キーワード: Si/Cナノ粒子,誘導熱プラズマ,Siナノ粒子,クエンチングガス,3次元熱流体解析,数値解析

要約(日本語): 本報告では熱プラズマを用いてSi/C ナノ粒子を生成するに際し，数値解析によって熱プラズマ下流の反応容器に Ar+CH 4 クエンチングガス (QG) を導入した場合の温度分布を算出した．本計算では，数値解析ソフト COMSOL multiphysicsを用いて三次元熱流体解析を行った．その結果，Ar+CH4クエンチングガスを導入することによって下流の温度が急激に低下し，およそ6000 kから1500 K 以下になった．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 896 Kバイト