フッ素支援プラズマCVD法を用いた立方晶窒化ホウ素膜の島成長と電界放出特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-124

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Island Growth and Field Emission Properties of Cubic Boron Nitride Films using Fluorine-Assisted Plasma CVD

著者名: 高橋 里奈(九州大学),堤井 君元(九州大学),松本 精一郎(物質・材料研究機構)

著者名(英語): Rina Takahashi(Kyushu University),Kungen Teii(Kyushu University),Seiichiro Matsumoto(National Institute for Material Science)

キーワード: 誘導結合型プラズマ,イオン衝撃エネルギー,プラズマCVD,窒化ホウ素,ダイヤモンド,電界放出

要約(日本語): 高効率電界放出エミッタの材料として、ワイドバンドギャップ半導体が注目されている。その中でも立方晶窒化ホウ素（cBN）は、炭素系材料と異なり高温耐酸化性を有するため、次世代エミッタ材料として期待されている。従来のcBN膜の合成法ではcBNの生成に強いイオン照射を必要とするため、低品質な膜しか得られず、電界放出特性の評価に至らなかった。我々のグループでは、独自のプラズマCVD法によって低エネルギーイオン照射下で高品質なcBN膜の合成に成功した。本研究ではこれらcBN膜の構成相、表面粗さ、電界放出特性の相関を報告するとともに、cBNが他の材料に匹敵する優れた電界放出性能を有することを示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 386 Kバイト