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FG-MOSを用いた4値シフトレジスタのレイアウト設計

FG-MOSを用いた4値シフトレジスタのレイアウト設計

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-018

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Layout design of Four-valued shift register with FG-MOS

著者名: 小濱 秀冊(佐賀大学),大塩 悠貴(佐賀大学),山崎 亘竜(佐賀大学),深井 澄夫(佐賀大学)

著者名(英語): Shusaku Kohama(Saga University),Yuki Oosio(Saga University),Kouryu Yamasaki(Saga University),Sumio Fukai(Saga University)

キーワード: 多値情報処理システム,レイアウト設計,4値シフトレジスタ

要約(日本語): LSI内部の配線量やトランジスタ数の低減は、集積密度向上の観点から重要である。その手段の1つとして多値情報処理システムがあり、本研究室ではFG-MOSを用いた4値回路を研究している。現在4値マイコンの回路設計まで行われており、本研究では、4値シフトレジスタ回路の調整、レイアウト設計、及び寄生容量・寄生抵抗を考慮したシミュレーションを行った。シミュレーションの結果、クロック周波数0.8MHzで所望の動作を確認したが、アンダーシュートやオーバーシュートが発生した。今後は4値ALUと組み合わせ、シミュレーションにより動作確認を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 267 Kバイト

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