量子化高抵抗素子の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-020

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Development of Quantized High-Resistance Device

著者名: 大江 武彦(産業技術総合研究所),Gorwadkar Sucheta(産業技術総合研究所),板谷 太郎(産業技術総合研究所),金子 晋久(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Takehiko Oe(Advanced Industrial Science and Technology),Gorwadkar Sucheta(Advanced Industrial Science and Technology),Taro Itatani(Advanced Industrial Science and Technology),Nobu-Hisa Kaneko(Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 量子ホール効果,高抵抗・微小電流測定,化合物半導体,二次元電子系,コンタクト抵抗,量子メトロロジートライアングル

要約(日本語): 電子機器の小型化・省エネルギー化に伴い、絶縁性能に優れた小型電子部品のニーズが高まりつつあり、待機電力の低減の要求など、高抵抗・微小電流の精密測定技術の必要性が高まりつつある。 また、ジョセフソン効果、量子ホール効果、単一電子トンネリング効果の3つの量子効果を用いてオームの法則がどれほど成り立つかを確認するメトロロジートライアングル検証が世界的に進められつつある。我々はこれらの目的のため、量子化高抵抗素子の開発に取り組んできた。量子ホール素子を直並列に組み合わせることで任意の量子化抵抗値を実現する技術を用い、1 MΩの量子ホールアレー素子などの開発を行ったことについて報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 710 Kバイト