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SOI-MEMS技術による共振型加速度センサの感度特性シミュレーション

SOI-MEMS技術による共振型加速度センサの感度特性シミュレーション

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-143

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Simulation of Sensitivity Characteristics of Resonant Accelerometers using SOI-MEMS technology

著者名: 劉 健男(千葉工業大学),室 英夫(千葉工業大学)

著者名(英語): Kennan Ryu(Chiba Institute of Technology),Hideo Muro(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 加速度センサ,共振型センサ,静電容量式センサ,SOI-MEMS,静電ポテンシャル,シミュレーション

要約(日本語): より小型、低価格化を目指して、著者らは変位検出用の櫛型電極にDC電圧を重畳することで、静電ポテンシャル中での振動において見かけ上の負のばね定数が発生することにより共振周波数が変化する共振型加速度センサについて提案を行った。本報告ではこのような共振型加速度センサについて、IntelliSuiteを用いた有限要素法及び、信号処理回路を含む総合的な解析が可能な回路モデルによるシミュレータMEMSpiceにより感度のシミュレーションの結果について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 278 Kバイト

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