結晶Seを用いたヘテロ接合フォトダイオードの光応答性へのデバイス作製条件の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-160

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Influence of process parameters on photovoltaic performance of selenium thin film heterojunction photodiode

著者名: 足立 悠輔(立命館大学),小林 大造(立命館大学)

著者名(英語): Yusuke Adachi(Ritsumeikan University),Taizo Kobayashi(Ritsumeikan University)

キーワード: 結晶Se,フォトダイオード,低温プロセス,薄膜,ヘテロ接合

要約(日本語): 結晶セレン(Se)は可視光波長域で高い光吸収係数を示すp形半導体であり、比較的低い外部電圧（約3V）の印加により電子なだれ増倍現象を利用した高い光信号電流が得られることからカラーセンサやイメージセンサ応用のための有望材料の一つである。また、200℃以下の薄膜形成プロセスでデバイス作製が可能であることと、原料が安価なこともセンサ材料として魅力である。将来的には、面内光分布の計測や分光技術と組み合わせた多波長の一括計測などの応用展開も期待できる。本稿ではSe光吸収層膜厚およびn形層材料の変化による結晶Seフォトダイオードの光応答改善の効果を調べた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 282 Kバイト