スパッタ成長ZnO単結晶層の水素ガス応答に関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-186

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Study on hydrogen gas response of single-crystalline ZnO layer grown by sputter epitaxy

著者名: 藤川 明日香(東京電機大学),安藤 毅(東京電機大学),信太 智貴(東京電機大学),小倉 康平(東京電機大学),久米井 俊哉(東京電機大学),水野 愛(東京電機大学),篠田 宏之(東京電機大学),六倉 信喜(東京電機大学)

著者名(英語): Asuka Fujikawa(Tokyo Denki University),Ki Ando(Tokyo Denki University),Tomoki Shinta(Tokyo Denki University),Kohei Ogura(Tokyo Denki University),Toshiya Kumei(Tokyo Denki University),A-i Mizuno(Tokyo Denki University),Hiroyuki Shinoda(Tokyo Denki University),Nobuki Mutsukura(Tokyo Denki University)

キーワード: ガスセンサ,水素センサ,酸化亜鉛,スパッタリング法,単結晶層

要約(日本語): 本研究では，高感度なH2ガスセンシングを目的として，ZnO単結晶層を用いた半導体式ガスセンサを作製し，H2ガス濃度や動作温度に対する感度特性の検討を行った。センサ材料には，超高真空マグネトロンスパッタリング法により，Al2O3基板上にエピタキシャル成長したZnO単結晶層を用いた。その結果，動作温度300 ℃，H2ガス濃度0.1 %で充分な感度が確認できた。また，高温条件ほど感度の向上が見られたため，今後さらに高温での検討を行うことにより，10 ppm程度における応答も可能であると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 537 Kバイト