走査型プローブ顕微鏡によるSi製ファストリカバリーダイオードの表面電位観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Observation of a surface potential on Si-fast recovery diode using scanning probe microscopy

著者名: 潤間 威史(静岡大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学),岩田 太(静岡大学)

著者名(英語): Takeshi Uruma(Shizuoka University),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology),Futoshi Iwata(Shizuoka University)

キーワード: ファストリカバリーダイオード,走査型プローブ顕微鏡,ケルビンプローブ力顕微鏡,オペランド計測,パワーデバイス

要約(日本語): 走査型プローブ顕微鏡の一つである，FM-AFM/KFMを構築し，デバイスへの電圧印加下において，局所電子物性評価を行った．試料は市販のシリコン製ファストリカバリーダイオード(Si-FRD)を断面研磨したものを用意し，バイアス印加下による電荷の挙動を観察した．今回の報告では，FRDへ順方向バイアス 1.5 V(865 mA)を印加し，伝導度変調状態における観察からドリフト層の幅を35.2μmと見積もった．理論曲線から予想されるドリフト層の幅と比較したところ，良い対応を示すことが分かった．当該Si-FRDの観察から，マイクロ・ナノスケールの構造に起因するデバイス物理を実測する場合，導通時を含む，バイアス印加状態での解析が有益であると考えられる．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 488 Kバイト