AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Nanoscale investigation of the Double Diffused MOSFET by the AFM/KFM/SCFM

著者名: 中島 瑞貴(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Mizuki Nakajima(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡,SiC-MOSFET,SCFM,パワー半導体デバイス

要約(日本語): 近年のパワー半導体デバイスは，ワイドバンドギャップ半導体材料による高耐圧化のほか，微細加工による多並列化，大規模化，複合化へと進展している．その一方で，デバイスの稠密化は，動作や故障における評価・解析を困難にする要因でもある．そのため，パワー半導体デバイスの動作を可視化するためには，高い空間分解能と高い検出感度の両立が求められている．我々は，独自に開発した真空圧力環境下で動作する多機能走査型プローブ顕微鏡（AFM/KFM/SCFM）を用い，市販のディスクリートデバイスの同時同一箇所ナノスケール観測に成功した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 480 Kバイト