電力変換器でのMOSFET寄生容量の充放電損失解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Analysis of switching loss of power converters due to parasitic capacitance of MOSFET

著者名: 親田 晃(産業技術総合研究所／千葉大学),小関 国夫(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所),佐藤 之彦(千葉大学)

著者名(英語): Akira Oyata(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/Chiba University),Kunio Koseki(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yasunori Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yukihiko Sato(Chiba University)

キーワード: 損失解析,SiC-MOSFET,寄生容量,高周波化,充放電損失

要約(日本語): 半導体電力変換器の高パワー密度化の要求や、近年のSiCやGaN等の新材料デバイスの登場に伴う活用のための技術が発展途上のため、多くの設計要素を統括して一般化されたフレームワークの構築が喫緊の課題となっている。本稿では電力変換器の高周波化における損失要因に着目し、高電圧・大電流・高速動作を可能とする特徴を持っているSiC等の新材料デバイスについて、今までの想定を超えた動作範囲下での運転において今まで詳細に検討されなかった部分の損失要因に関して検討する必要性があると考えられる。ここでは寄生容量による充放電損失に関して理論検討を行い、モデル式の導出で得られた解析値と実測との比較でモデル式の妥当性を検証した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 828 Kバイト