車載用パワーモジュールにおけるI2t耐量改善

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Improvement of I2t tolerance in automotive power modules

著者名: 中山 智矢(富士電機),仲野 逸人(富士電機),大澤 彰浩(富士電機),樋口 恵一(富士電機),北村 明夫(富士電機),井上 大輔(富士電機),吉田 崇一(富士電機),郷原 広道(富士電機),大月 正人(富士電機)

著者名(英語): Tomoya Nakayama(Fuji Electric Co.),Hayato Nakano(Fuji Electric Co.),Akihiro Osawa(Fuji Electric Co.),Keiichi Higuchi(Fuji Electric Co.),Akio Kitamura(Fuji Electric Co.),Daisuke Inoue(Fuji Electric Co.),Souichi Yoshida(Fuji Electric Co.),Hiromichi Gohara(Fuji Electric Co.),Masahito Otsuki(Fuji Electric Co.)

キーワード: 電気自動車,リードフレーム

要約(日本語): IGBTモジュールはxEVに搭載されるモーター駆動のためのキーデバイスであり、今後急激に需要が拡大していくことが予想される。xEV用途では、モーター電圧がバッテリー電圧よりも高くなることが予測され、モーターから予期せぬ逆電流が発生し、パワーモジュールへ流れ込む恐れがある。従って、IGBTモジュールのI2t耐量は重要な要素である。本論文では、RC-IGBTとリードフレーム構造により、I2t耐量の向上について説明する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 335 Kバイト