SiCダブルトレンチMOSFETにおけるゲートトレンチ底部に形成した電界緩和構造のスイッチング特性に対する影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Impact of the trench bottom shielding region on switching characteristics in SiC Double-trench MOSFETs

著者名: 田中 克久(東芝),京極 真也(東芝/産業技術総合研究所),飯島 良介(東芝),原田 信介(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Tanaka Katsuhisa(Toshiba Corporation),Kyogoku Shinya(Toshiba Corporation/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Iijima Ryosuke(Toshiba Corporation),Harada Shinsuke(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: SiC,トランジスタ,動特性

要約(日本語): ゲートトレンチ底部にp型領域を形成したSiCダブルトレンチMOSFETにおける、ゲートトレンチ底部p型領域とソース端子間の接続経路抵抗を考慮した場合のスイッチング特性について、シミュレーションを用いて検証を行った。その結果、接続経路抵抗の存在により、底部p型領域の電位変動が発生して、スイッチング損失が増加するため、経路抵抗の低減が低スイッチング損失に繋がることを明らかにしたので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 428 Kバイト