メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-011

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Realization of Ohmic Contact on n+ Ion Implantation layer for 4H-SiC without Metal Annealing Process

著者名: 北島 魁人(筑波大学),岡本 大(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)

著者名(英語): Kairo Kitajima(University of Tsukuba),Dai Okamoto(University of Tsukuba),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)

キーワード: オーミックコンタクト,メタルアニール工程,4H-SiC

要約(日本語): SiC MOSFETは高耐圧と低オン抵抗の両立を実現することが可能な次世代パワー半導体デバイスとして注目されている。メタルアニール工程を削減したオーミックコンタクトプロセスの実現は、SiC MOSFETの性能向上ならびに高信頼性実現の上で必要不可欠なプロセス技術である。 本研究では、n+イオン注入層上にてメタルアニール工程の必要無い低温プロセス技術が実現可能かを検証するために、イオン注入層上にTEG(Test Element Group)を作製し、オーミック特性の評価を試みた。イオン注入TEGでオーミック特性が得られそのコンタクト抵抗は4.29×10-6 [Ω・cm2] と、比較のため作成したバルク基板TEGに比べても十分低い値が得られた。これによりメタルアニール工程を用いなくてもn+イオン注入層上での低抵抗オーミックコンタクトを実現できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 688 Kバイト