SiC-MOSFETに対するdV/dtストレスの影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): The harmful effect of dV/dt stress on the SiC-MOSFET

著者名: 中田 修平(金沢工業大学),田中 祥太(金沢工業大学)

著者名(英語): shuhei nakata(Kanazawa Institue of Technology),shota tanaka(Kanazawa Institue of Technology)

キーワード: 電力用半導体,SiC-MOSFET,ストレス,dV/dt

要約(日本語): SiC-MOSFETはSi-IGBTに比べて応答性に優れているため、極短時間のスイッチングが可能であり、スイッチング損失を大幅に削減できる。しかし、極短時間でスイッチングを行った際に素子に与える影響評価は十分ではない。今回、パルス電圧をMOSFETに印加することで、スイッチング時のドレイン電圧の変化を模擬し、急激な電圧変化が素子に与える影響を評価した。その結果、100V/ns程度のdV/dtストレスを与えることで、ゲートリークの増大に繋がることが分かった。また、ストレスの強さとリーク増大に至る累積パルス数に相関がある結果も得られた。 今後、他のパラメータ依存性などを評価し、結果を当日報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 930 Kバイト