パワー半導体素子の導通特性評価における自己発熱の影響に関する一考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): A Study on Influence of Self-Heating in Evaluating Conduction Characteristics of Power semiconductor device

著者名: 杉原 英治(大阪大学),河内 昂輝(大阪大学),舟木 剛(大阪大学),福永 崇平(大阪大学)

著者名(英語): Hideharu Sugihara(Osaka University),Koki Kawuchi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Shuhei Fukunaga(Osaka University)

キーワード: 導通特性評価,自己発熱,半導体カーブトレーサ,集中熱回路モデル,温度上昇

要約(日本語): パワー半導体素子の導通特性の評価において、印加された電圧と電流による損失によって、自己発熱が生じる。自己発熱によってパワー半導体素子の温度が変化すると、所期の電流・電圧特性が得られない。このため、印加する電圧および電流をパルス状にし、その幅を短く設定することで、自己発熱の影響を無視して導通特性の評価が行われている。本稿では、SiCショットキーバリアダイオードを対象とし、導通特性の測定における自己発熱の影響を評価する。このためにまず、SiC-SBDの過渡熱抵抗を評価する。そのうえで、印加する測定電流のパルス幅に対する素子の温度上昇を定量的に考察する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 653 Kバイト