アクティブゲート駆動によるSiC-MOSFETのサージ電圧低減効果の検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Suppression of Surge Voltage by Active Gate Driving for SiC-MOSFETs

著者名: 長野 剛(富士電機),松原 邦夫(富士電機),田久保 拡(富士電機),鳥羽 章夫(富士電機)

著者名(英語): Tsuyoshi Nagano(Fuji Electric Co., LTD.),Kunio Matsubara(Fuji Electric Co., LTD.),Hiromu Takubo(Fuji Electric Co., LTD.),Akio Toba(Fuji Electric Co., LTD.)

キーワード: SiC,ワイドバンドギャップ半導体,ゲート駆動回路,アクティブゲート駆動

要約(日本語): 低損失かつ高速動作できる性能をもつSiCパワー半導体は過大なサージ電圧が発生するため，その性能を活かしきれていない。Siパワー半導体ではサージ電圧を抑制する手法としてアクティブゲート駆動方式が提案されているが，SiCパワー半導体での報告例は少ない。 本論文では，ターンオフ期間中の一定期間のみゲート電流を停止させるアクティブゲート駆動方式を提案し，そのサージ電圧の跳ね上がり分を約20％低減できることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 260 Kバイト