SiC-MOSFET用電流電圧ハイブリッド形高速ゲート駆動回路の基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-018

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): A Study on High-speed Gate Drive Circuit Using Hybrid Current/Voltage Source for SiC-MOSFET

著者名: 大河内 裕太(ローム),中原 健(ローム)

著者名(英語): Okawauchi Yuta(ROHM Co., LTD.),Nakahara Ken(ROHM Co., LTD.)

キーワード: ゲート駆動回路,SiC,シミュレーション,SPICE,高速スイッチング

要約(日本語): 近年、小型・高効率化を実現するためにSiC-MOSFET の実用化が進んでいる。一方でSiC-MOSFET はSi-MOSFETと比べるとデバイス内部の寄生ゲート抵抗が大きいという特徴があるため、スイッチング速度を上げるのには限界がある。高速にゲートを充放電する回路として共振形や電流形のゲート駆動回路が提案されているが、内部ゲート抵抗の存在については考慮されていない。そこで内部ゲート抵抗が大きいSiC-MOSFET でも高速に駆動できる電流電圧ハイブリッド形ゲート駆動回路を提案する。本研究では提案回路を用いることでスイッチング損失を大幅に改善できることをシミュレーションにより検証し、提案回路の有効性を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 319 Kバイト