SiC-MOSFET駆動用共振型ゲート駆動回路の基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-019

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Basic Study on Resonant Gate Drive Circuit for SiC-MOSFET

著者名: 大山 龍太郎(東京理科大学),八木 啓太(東京理科大学),星 伸一(東京理科大学),松岡 寛(ACR)

著者名(英語): ryutaro Ohyama|Keita Yagi|Nobukazu Hoshi|Hiroshi Matsuoka

キーワード: ゲート駆動回路,消費電力,共振

要約(日本語): 本研究では低消費電力なSiC-MOSFET駆動用共振型ゲート駆動回路を提案している。SiC-MOSFETでは入力容量は増加傾向にあり，ゲート電荷量が増加する。さらに高周波化に伴い，ゲート電荷の充放電回数が増加し，ゲート駆動回路での消費電力が問題になる。先行研究において，ゲート駆動回路での消費電力低減として共振型ゲート駆動回路が提案されている。しかし，SiC-MOSFET では駆動ゲート電圧の推奨値がオン時，オフ時で異なる場合がある。そのため従来の共振型ゲート駆動回路では，推奨ゲート駆動電圧での運転が困難となる。そこで本稿ではSiC-MOSFETに適した非対称駆動電圧共振型ゲート駆動回路を提案する。また，その有効性をシミュレーションにより検証する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 447 Kバイト