光ファイバー絶縁ゲート回路適用高電圧SiCパワーデバイスの1kV-20kHzスイッチング動作実験

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-021

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): 1kV-20kHz Switching Operational Experiment of High Voltage SiC Power Device Insulated by Optical Fiber

著者名: 弦田 幸憲(横浜国立大学),小原 秀嶺(横浜国立大学),河村 篤男(横浜国立大学)

著者名(英語): Yukinori Tsuruta(Yokohama National University),Hidemine Obara(Yokohama National University),Atsuo Kawamura(Yokohama National University)

キーワード: 部分昇圧,SiC-MOSFET,DABコンバータ,再生可能エネルギー,風力発電

要約(日本語): 著者らは前稿で，自動車分野に適用する600 VDC，20 kHz，99.3 %で動作する100 kWのHEECSチョッパを試作し実証した。今回は，その成果を踏まえ，再生可能エネルギー分野に適用するより高電圧化した最終的には3.3 kV DC，20 kHz，99.5 %で動作する総出力100 kWのHEECSチョッパ実現を目指している。本稿ではその途中段階において，新設計部の光ファイバー絶縁ゲート駆動回路による3.3 kV-SiC-MOSFETの高電圧スイッチング動作実験を行ない，1 kV-20 kHz スイッチング動作を確認したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 615 Kバイト