Niメッキ接合および高温はんだ接合を用いた SiCパワーモジュールにおけるスイッチング特性評価
Niメッキ接合および高温はんだ接合を用いた SiCパワーモジュールにおけるスイッチング特性評価
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-022
グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集
発行日: 2018/03/05
タイトル(英語): Evaluation of Switching Characteristic of SiC Power Modules using Ni Micro Plating Bonding and high temperature solder
著者名: 糸瀬 智也(九州工業大学),今給黎 明大(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),巽 宏平(早稲田大学),稲垣 雅一(早稲田大学),飯塚 智弘(早稲田大学),佐藤 信明(三井ハイテック),清水 孝司(三井ハイテック),上田 和敏(三井ハイテック)
著者名(英語): Tomoya Itose(Kyushu Institute of Technology),Akihiro Imakiire(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology),Kohei Tatsumi(Waseda University),Masakazu Inagaki(Waseda University),Tomonori Iizuka(Waseda University),Nobuaki Sato(Mitsui High-tec Inc.),Koji Shimizu(Mitsui High-tec Inc.),Kazutoshi Ueda(Mitsui High-tec Inc.)
キーワード: サージ電圧,寄生インダクタンス,パワーモジュール
要約(日本語): 著者名が10名を超えているため、以下に残りの著者名を示します。 杉浦和彦スギウラ/カズヒコ Sugiura/Kazuhiko デンソー(DENSO CORPORATION) 鶴田和弘ツルタ/カズヒロ Tsuruta/Kazuhiro デンソー(DENSO CORPORATION) 戸田敬二トダ/ケイジ Toda/Keiji トヨタ自動車(TOYOTA MOTOR CORPORATION) 近年,電力変換機器の適用拡大により小型で高温動作可能なパワーモジュールが期待されている。それに伴い,パワーモジュールの寄生インダクタンスの低減とスイッチング波形改善に関する研究が進められている。本稿では,高温はんだ接合を用いた従来構造とNiメッキ接合構造のSiCパワーモジュールについて,寄生インダクタンスの解析と実測およびスイッチング試験を行い,寄生インダクタンスの違いによるスイッチング波形への影響を評価したので報告する。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 813 Kバイト
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