漏れインダクタンス低減によるSiC MOSFETを用いたフライバックコンバータの10 MHz 駆動

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-023

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Improvement of Output Characteristics in 10-MHz Flyback Converter with SiC MOSFET by Reduction of Leakage Inductance

著者名: 橋本 和樹(京都大学),奥田 貴史(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Kazuki Hashimoto(Kyoto University),Takafumi Okuda(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: フライバックコンバータ,トランス,漏れインダクタンス,高周波駆動,SiC MOSFET

要約(日本語): 近年，SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスを用いたパワーエレクトロニクス機器の高性能化が検討されている．本研究は，ワイドギャップ半導体の高速動作に着目し，スイッチング電源への高周波スイッチングの適用を検討するものである．これまで，SiC MOSFET を用いたフライバックコンバータの10 MHz 駆動を検討したが，幅広いDuty比で出力電圧を制御することは困難であった．本報告では，トランスの漏れインダクタンスがフライバックコンバータの動作に与える影響を検討し，10 MHzにおける出力電圧の制御に成功したのでこれを報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 372 Kバイト