SiC-MOSFETのデッドタイムレス制御―同期整流方式に関する基礎検討2―

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-025

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Dead Timeless Control of SiC-MOSFETs

著者名: 二瓶 颯斗(茨城工業高等専門学校),長洲 正浩(茨城工業高等専門学校),秋山 悟(日立製作所),石川 勝美(日立製作所)

著者名(英語): Hayato Nihei(National Institute of Technology, Ibaraki College),Masahiro Nagasu(National Institute of Technology, Ibaraki College),Satoru Akiyama(Hitachi, Ltd.),Katsumi Ishikawa(Hitachi, Ltd.)

キーワード: SiC-MOSFET,同期整流,デッドタイム,ボディダイオード

要約(日本語): SiCはバンドギャップが大きいことから、SiC-MOSFETのボディダイオードはオン電圧が高い。また、ボディダイオードが導通すると素子内にキャリアが蓄積するために、特に高耐圧のMOSFETでは、素子内での電流集中により素子の破壊が生じることがある。ボディダイオードの動作を極力抑制する制御方法として同期整流方式が知られているが、デッドタイム期間にはボディダイオードが動作する。本研究では、ボディダイオードの動作を制限するために、実質的にデッドタイムを無くすデッドタイムレスゲート制御法の開発と評価を行っている。今回は、制御に使用するパラメータ依存性の実測結果を中心に報告を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 477 Kバイト