2MHz GaNパワートランジスタE級高周波インバータの寄生容量非線形特性に関する一考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-026

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): A Study on Non-lineality Characteristics of Capacitance in a 2 MHz GaN Power Transistor HF Class-E Inverter

著者名: 藤井 健太(神戸大学),三島 智和(神戸大学)

著者名(英語): Kenta Fujii(Kobe University),tomokazu Mishima(Kobe University)

キーワード: E級インバータ,GaN,高周波,寄生容量

要約(日本語): 高周波化による電力変換回路の小型化に関する研究開発が，活発に行われている。とりわけ，MHzの高周波領域では，ZVS Turn on & Turn offが可能なE級高周波インバータが有用であるが，その高効率スイッチング動作の実現には，パワー半導体スイッチの持つ寄生成分が回路動作に与える影響を考慮することが不可欠である。本稿では， 2MHz GaN パワートランジスタE級高周波インバータを用いた実機検証により，スイッチの耐圧を考慮しつつ，より高DC入力電圧で動作することで寄生容量のZVS Turn onに対する影響を低減できることを明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,061 Kバイト