低オン電圧半導体素子インバータ駆動によるIPMSMの鉄損低減

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-050

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Iron Loss Reduction of IPMSM Driven by Inverter Using Low On-voltage Power Semiconductor

著者名: 岩本 藤行(デンソー),山田 隆弘(デンソー),笹谷 卓也(デンソー),藤﨑 敬介(豊田工業大学)

著者名(英語): Fujiyuki Iwamoto(DENSO CORPORATION),Takahiro Yamada(DENSO CORPORATION),Takanari Sasaya(DENSO CORPORATION),Keisuke Fujisaki(Toyota Technological Institute)

キーワード: IPMSM,インバータ,SiC-MOSFET,鉄損,低オン電圧半導体素子,炭化ケイ素

要約(日本語): IPMSMはEV等の駆動モータとして広く普及しており，それを駆動するインバータを含めたモータドライブシステム全体の高効率化の要求が高まっている．インバータにSi-IGBTと比較しスイッチング特性，導通特性ともに優れるSiC-MOSFETを適用し，インバータ損失を低減する事例が多数報告されているが，インバータにSiC-MOSFETなど，低オン電圧デバイスを適用するメリットは，インバータそのものの低損失化にとどまらず，モータ鉄損をも低減できる可能性があることである．先行研究によれば，励磁インバータの半導体素子のオン電圧と低減すると，磁気リング試料の鉄損が低減すると報告されている．そこで，本発表では，Si-IGBTインバータとSiC-MOSFETインバータで，車載用主機出力相当（定格50kW）のIPMSMを駆動して鉄損を評価し，比較した結果を報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 499 Kバイト