SJ-MOSFETのターンオフにおけるノイズ抑制法の基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-110

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): A Fundamental Study of Turn-off Noise Reduction Method for the SJ-MOSFET

著者名: 安住 壮紀(東芝),松毛 和久(東芝),山下 浩明(東芝デバイス&ストレージ),来島 正一郎(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Takenori Yasuzumi(Toshiba Corp.),Kazuhisa Matsuge(Toshiba Corp.),Hiroaki Yamashita(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Shoichiro Kurushima(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.)

キーワード: SJ-MOSFET,ノイズ

要約(日本語): SJ-MOSFETのスイッチング動作時に発生する電磁ノイズの抑制方法について検証した結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 455 Kバイト