高周波三相コモンモードインダクタに生じる巻線間浮遊容量の簡易推定法
高周波三相コモンモードインダクタに生じる巻線間浮遊容量の簡易推定法
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-111
グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集
発行日: 2018/03/05
タイトル(英語): A Simple Estimation Technique of Winding Stray Capacitance of High-Frequency Three-Phase Common-Mode Inductor
著者名: 高橋 翔太郎(北海道大学),小笠原 悟司(北海道大学),竹本 真紹(北海道大学),折川 幸司(北海道大学),玉手 道雄(富士電機)
著者名(英語): Shotaro Takahashi(Hokkaido University),satoshi Ogasawara(Hokkaido University),Masatsugu Takemoto(Hokkaido University),Koji Orikawa(Hokkaido University),Michio Tamate(Fuji Electric Co.,Ltd.)
キーワード: EMI,三相コモンモードインダクタ,EMIフィルタ,巻線間浮遊容量
要約(日本語): SiCなどの次世代パワー半導体デバイスの実用化に伴い高周波化する電磁ノイズの抑制には,高周波(HF)領域まで動作可能なコモンモード(CM)インダクタが不可欠であるが,一般にインダクタの動作周波数範囲は,浮遊容量に起因する自己共振周波数によって制限される。本稿ではインダクタの自己共振周波数を設計段階において把握することを目的として,先行研究事例を基に,HF三相CMインダクタを対象とした巻線間浮遊容量の簡易的な推定手法を提案する。提案手法によって推定した浮遊容量値をコア材の複素透磁率の周波数特性を考慮した解析モデルに導入することで,HF三相CMインダクタの自己共振周波数を精度よく把握できることをインピーダンスの実測結果と比較することで示す。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 590 Kバイト
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