SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-112

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Simulation Study of High Frequency Leakage Current Using a Compact Model for an SiC-MOSFET

著者名: 松尾 翼(東京工業大学),昆野 賢太郎(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),中武 浩(三菱電機)

著者名(英語): Tsubasa Matsuo(Tokyo Institute of Technology),Kentaro Konno(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Hirohumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Hiroshi Nakatake(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: SiC-MOSFET,デバイスモデル,高速スイッチング,漏洩電流

要約(日本語): 電力変換器の小型・高効率化のために，SiC-MOSFETを適用した製品開発が進んでいる。SiC-MOSFETの高速スイッチング動作によりスイッチング損失の低減が可能となる。一方，高速スイッチング動作による急激な電圧変化に伴い高周波ノイズが発生する。この高周波ノイズ問題に対しノイズ解析技術の要求が高まっている。ノイズ解析に用いる SiC-MOSFETのデバイスモデル性能は，精度の高さおよび再現度の高さが求められる。当研究室で開発したSiC-MOSFETデバイスモデルを用い，ヒートシンクからの漏洩電流のシミュレーション解析を行い，実測比較による精度検証を行った。ドレイン電流5 Aおよび25 Aの2ケースについてシミュレーション結果と実験結果の比較を行い、良好な整合を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 677 Kバイト