SJ-MOSFETを適用したQZSIの回路方式・デバイス間での損失評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-162

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Loss Evaluation of Quasi Z-source Inverter Using SJ-MOSFET between Switching Device and Circuit Topology

著者名: 鴨志田 直樹(筑波大学),飯嶋 竜司(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Naoki Kamoshida(University of Tsukuba),Ryuji Iijima(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: SJ-MOSFET,準Zソースインバータ,Zソースインバータ,損失,上下短絡,インバータ

要約(日本語): SJ-MOSFETは低オン抵抗でありながらボディダイオードのスイッチングによる過大な逆回復電流が課題となっており，電圧型インバータへの適用は困難であった。著者らはインバータの上下短絡動作により昇圧動作が可能な準ZSIを利用することでSJ-MOSFETを用いて昇圧・インバータ動作が可能なことを実証している。本稿では提案するSJ-MOSFETを用いた準ZSI，従来のIGBTを用いた準ZSI，及び昇圧回路を有する電圧型インバータの3方式で，各電力及び昇圧比における損失の比較を行い，SJ-MOSFETを適用することによって準ZSIが従来回路に比べて高効率な運転が可能である領域を実験的に明らかにしたので，その結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 274 Kバイト