スイッチトリラクタンスモータ用昇圧型駆動回路のMOSFETによる構成方法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 5-086

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): A Configuration Method of Voltage Boost type Switched Reluctance Motor Drive Circuit using MOSFETs

著者名: 山本 紗英(東京理科大学),星 伸一(東京理科大学),内田 晃介(東京理科大学)

著者名(英語): Sae Yamamoto(Tokyo University of Science),Nobukazu Hoshi(Tokyo University of Science),Kosuke Uchida(Tokyo University of Science)

キーワード: スイッチトリラクタンスモータ,駆動回路,昇圧回路,MOSFET,ボディダイオード

要約(日本語): レアアースを使用しないモータとして注目されているスイッチトリラクタンスモータの駆動には、一般的に、非対称Hブリッジ駆動回路(従来回路)が用いられている。また、従来回路に比べ、高出力域での運転が可能となる、リアクトルレス昇圧駆動回路(提案回路)がこれまでに提案されており、過去の研究では、スイッチング素子にIGBTが使用されてきた。本稿では、新たにMOSFETを用いた提案回路を製作し、一部のMOSFETのボディダイオードに流れるリカバリ電流によって正常な昇圧動作が妨げられること、また、この問題を解決するために、直列と逆並列それぞれにSBDを追加する必要があることを、実験により明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 968 Kバイト