SiC-MOSFETを用いた直流モデル遮断器による直流遮断実験?遮断時間および接合部温度のゲート・ソース間時定数依存性?

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-060

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Experiment of Direct Current Interruption with SiC-MOSFET Model Circuit Breaker : Time-Constant Dependence of Interrupting Time and Junction Temperature

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),小川 拓真(名古屋大学),小椋 陽介(名古屋大学),柳樂 和宏(エナジーサポート)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Takuma Ogawa(Nagoya University),Yosuke Ogura(Nagoya University),Kazuhiro Nagira(Energy Support Corporation)

キーワード: パワー半導体,遮断器,SiC-MOSFET

要約(日本語): 「抄録」筆者らは，IGBTやSiC-MOSFET等のパワー半導体からなる低圧直流用遮断器の回路構成を考案・試作し，その特性評価を行ってきた。その試作器の一つは，限流部では限流抵抗による直流限流を行い，遮断部では，SiC-MOSFETのゲート・ソース間電圧をある時定数 τ で低下させ，ドレイン・ソース間を高抵抗に推移させ遮断を達成する。本稿では，τ の値を複数に設定し，遮断時間や接合部の温度上昇について検討している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 689 Kバイト