SiC-MOSFETを用いた直流モデル遮断器の限流遮断プロセスとジャンクション温度推定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-061

グループ名: 【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Direct Current Limiting Interruption Process by Model Circuit Breaker Constructed of SiC-MOSFET and Its Junction Temperature Estimation

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),小椋 陽介(名古屋大学),小川 拓真(名古屋大学),柳樂 和宏(エナジーサポート)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Yosuke Ogura(Nagoya University),Takuma Ogawa(Nagoya University),Kazuhiro Nagira(Energy Support Corporation)

キーワード: 直流遮断器,SiC-MOSFET

要約(日本語): 現在直流遮断器として主に用いられている配線用気中遮断器には，遮断時間の調整の難しさやアークによる部品の損耗といった欠点がある。筆者らはIGBT素子やSiC-MOSFET素子等を用いた低圧直流用モデル遮断器を試作し，その特性評価を行ってきた。その試作器の一つは，限流部として抵抗による直流電流限流を行い，遮断部では限流された電流を遮断する。本稿では，このモデル遮断器に直流電流の遮断を課した。測定された波形に基づいて，遮断プロセスを詳細に述べるとともに，遮断部でのSiC-MOSFETのジャンクション温度の過渡推移を述べている。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 761 Kバイト