半導体デバイスの故障解析のための超音波刺激抵抗変動(SOBIRCH)検出法における最適キャリア周波数の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-045

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Investigation of Optimum Carrier Frequency in SOBIRCH Method for Failure Analysis of Semiconductor Device

著者名: 辰巳 功祐(豊橋技術科学大学),川島 朋裕(豊橋技術科学大学),村上 義信(豊橋技術科学大学),穂積 直裕(豊橋技術科学大学),松本 徹(浜松ホトニクス)

著者名(英語): Kosuke Tatsumi(Toyohashi University of Technology),Tomohiro Kawashima(Toyohashi University of Technology),Yoshinobu Murakami(Toyohashi University of Technology),Naohiro Hozumi(Toyohashi University of Technology),Toru Matsumoto(Hamamatsu Photonics K.K.)

キーワード: 故障解析,半導体デバイス,超音波

要約(日本語): 半導体デバイスの故障箇所絞り込み手法として、SOBIRCH(ultraSOnic Beam Induced Resistance CHange)法の開発を行っている。超音波により封止樹脂内部の配線を加熱し、発生する抵抗変化を電流変動として検出することで故障箇所の絞り込みを行う。この手法は封止樹脂を開封しないため、故障状態を維持できるという利点がある。配線を覆う樹脂が薄くなる程多重反射の影響が大きくなるため、適切なキャリア周波数の選択により感度の向上が図れると予想した。そこで、薄い樹脂に覆われた配線サンプルを用いて、キャリア周波数による信号強度の変化を実験的に確認した。実験結果より、適切なキャリア周波数を選択することによって、樹脂内の共振を利用した感度向上を図れる可能性が示唆された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 390 Kバイト