弱電離気体プラズマの解析(CL) 高<i>E/N</i>領域におけるN2ガスの電離係数(2)
弱電離気体プラズマの解析(CL) 高<i>E/N</i>領域におけるN2ガスの電離係数(2)
カテゴリ: 全国大会
論文No: 1-069
グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集
発行日: 2019/03/01
タイトル:弱電離気体プラズマの解析(CL) 高E/N領域におけるN2ガスの電離係数(2)
タイトル(英語): Studies on weakly ionized gas plasma (CL) Ionization coefficient of nitrogen at a high E/N region (2)
著者名: 末次 泰基(室蘭工業大学),川口 悟(室蘭工業大学),髙橋 一弘(室蘭工業大学),佐藤 孝紀(室蘭工業大学)
著者名(英語): Yoshiki Suetsugu(Muroran Institute of Technology),Satoru Kawaguchi(Muroran Institute of Technology),Kazuhiro Takahashi(Muroran Institute of Technology),Kohki Satoh(Muroran Institute of Technology)
キーワード: 電離係数,定常Townsend法,Lucasの電流成長式
要約(日本語): 定常Townsend法を用いて,E/N = 400?4,200 TdにおけるN2ガスの電離電流を測定し,Lucasの電流成長式を用いたカーブフィッティングを行うことで電離係数を算出した。今回の測定で得られた電離係数は,E/N = 3,400 Tdまで増加し,それ以上のE/Nにおいて減少した。これは,先行研究と同様の結果であり,高E/N領域における正確な電離係数を導出するためには,非等方散乱と不均一なエネルギー分配を考慮する必要があることがわかった。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 626 Kバイト
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