Ar/N2 ループ型誘導熱プラズマを用いたSi 基板表面の窒化試験

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-082

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Nitridation Test of Si Substrate Surface using Ar/N2 Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas

著者名: 大関 元紀(金沢大学),藤田 敦士(金沢大学),田中 康規(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィー・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィー・リサーチ)

著者名(英語): Genki Ohzeki(Kanazawa University),Atsushi Fujita(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: ループ型誘導熱プラズマ,表面改質,窒化,Si基板

要約(日本語): 筆者らは熱プラズマによる大面積にわたる超高速表面改質を目指し，これまでにループ型誘導熱プラズマ(Loop-ICTP)装置を開発している。この装置では，ループ型トーチを円型コイルで挟み，ループ管に垂直な交番磁界により，ループ周回方向に電界を印加して誘導熱プラズマを維持する。このループ型誘導熱プラズマの一部を基板上に直接生成し，これを基板表面全体に照射することにより，高速表面処理が可能となる。これまでに本装置を用いてSi の高速表面酸化を実証してきた。ここでは，本ループ型ICTP の窒化処理への適用を試みた。本報告ではAr/N2 ガスを導入したループ型誘導熱プラズマをSi 基板表面上に直接生成し，Si 基板表面の高速窒化処理を試み，その適用性を検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 706 Kバイト