マイクロプローバを用いた薄膜ナノコンポジットの絶縁破壊測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-077

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Measurement of Dielectric Breakdown of Thin Film Nanocomposite Using Microprobe

著者名: 髙橋 滉平(早稲田大学),三川 莉奈(早稲田大学),大西 拓弥(早稲田大学),富田 基裕(早稲田大学),渡邉 孝信(早稲田大学),武良 光太郎(東芝三菱電機産業システム),中村 隆央(東芝三菱電機産業システム),吉満 哲夫(東芝三菱電機産業システム)

著者名(英語): Kohei Takahashi(Waseda University),Rina Sankawa(Waseda University),Takuya Onishi(Waseda University),Motohiro Tomita(Waseda University),takanobu Watanabe(Waseda University),Kotaro Mura(TMEIC),Takahiro Nakamura(TMEIC),Tetsuo Yoshimitsu(TMEIC)

キーワード: ナノコンポジット,シリカ,エポキシ樹脂,絶縁破壊

要約(日本語): ナノコンポジット(NC)材料は絶縁性能を高めると期待されており、回転機への適用研究が報告されている。本研究では、薄膜NC材料にマイクロプローバを当てる新たな測定手法によって、従来よりも微細なnmサイズでの絶縁破壊評価を行った。エポキシ樹脂に平均粒径12nmのSiO2フィラーを5wt%添加、また35nmのSiO2フィラーを10wt%添加した薄膜試料を作製し、昇圧試験にて電圧-電流(V-I)特性を測定した。その後絶縁破壊電圧を比較するため、電流に3つの閾値(1?A,10?A,20?A)を設定し、閾値に達した時の電圧値を絶縁破壊電圧とした。1?Aでは10wt%が、10?Aと20?Aでは5wt%、10wt%の試料が母材よりも高い絶縁破壊電圧を示した。この結果から200nm程度の薄膜試料においてもNC材料の優位性が確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 300 Kバイト