室温で作製したAg2Te中間層を用いた金属電極膜上AgGaTe2の作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-100

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル：室温で作製したAg₂Te中間層を用いた金属電極膜上AgGaTe₂の作製

タイトル(英語): Preparation of AgGaTe₂ on Mo Electrode Layers using Ag₂Te Buffer Layers

著者名: 宇留野 彩(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Aya Uruno(Waseda Univetsity),Masakazu Kobayashi(Waseda Univetsity)

要約(日本語): これまでの研究でカルコパイライト化合物の一つであるAgGaTe₂に着目し、Si基板上に2段階近接昇華法を用いてAgGaTe₂の結晶成長と太陽電池の開発を行ってきた。2段階近接昇華法とはAg₂Te中間層を堆積させた後にAgGaTe₂を堆積させる手法である。これまでAg₂Te中間層は近接昇華法を用いて作製を行っており、基板温度が約800℃と高温であった。そのたのめガラス基板上Mo電極の剥離・クラックが生じてしまうという問題が存在していた。そこで本研究では室温でも製膜可能なスパッタ法に着目し、Ag₂Te中間層をスパッタ法で作製すること、そしてAgGaTe₂薄膜を作製することを目指した。結果として、100℃程度低温でAgGaTe₂を作製でき、Mo電極膜への熱応力の抑制に対しても有効であることが明らかとなった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 300 Kバイト