Study on Si acceptor level in GaAsSb layer

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-101

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Study on Si acceptor level in GaAsSb layer

著者名: 杉田 有哉(鈴鹿工業高等専門学校),田中 滉士(鈴鹿工業高等専門学校),和泉 志男(鈴鹿工業高等専門学校),横山 春喜(鈴鹿工業高等専門学校)

著者名(英語): Yuya Sugita(NIT suzuka college),Koji Tanaka(NIT suzuka college),Yukio Izumi(NIT suzuka college),Haruki Yokoyama(NIT suzuka college)

キーワード: 化合物半導体,ホール効果,キャリア,活性化エネルギー

要約(日本語): InPに格子整合するGaAsSbはInPやInGaAsに対してタイプⅡのヘテロ接合を形成する。この特徴を生かし、Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体デバイスの特性を改善する材料として、近年、p型のGaAsSbが注目されている。しかしながら、Siドープp型GaAsSbのアクセプタ準位を評価した報告はこれまでに無い。本報告では、有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて作製したSiドープp型GaAsSb層の低温ホール効果測定を行い、Siアクセプタのイオン化エネルギーが0.013eVであることを初めて示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 358 Kバイト