溶液法により作製したIGZO-TFTのオゾン暴露に対する濃度応答性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-102

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Response characteristics of a solution-processed IGZO-TFT exposed to various concentration of ozone

著者名: 古川 航(芝浦工業大学),林 秀臣(芝浦工業大学),西川 宏之(芝浦工業大学),森本 貴明(防衛大学校)

著者名(英語): Wataru Furukawa(Shibaura Institute of Technology),Hidetaka Hayashi(Shibaura Institute of Technology),Hiroyuki Nishikawa(Shibaura Institute of Technology),Morimoto Takaaki(National Defense Academy of Japan)

キーワード: IGZO半導体,溶液法,オゾンセンサ

要約(日本語): 溶液法により作製したIGZO薄膜はアモルファス膜であり、ガスセンサによく利用される結晶膜のZnO、SnO2などと比較して高い透明性、フレキシブル性、脱真空プロセスによる低コスト化など多くの付加価値を有する。本研究では、溶液法によるa-IGZO薄膜を用いたIGZO-TFTの作製を行い、IGZO-TFTのガスセンサ応用に関してオゾンガス反応特性の評価を行った。UV照射によるTFT回復特性とオゾン濃度依存性を評価し、オゾンセンサとしての実現可能性を示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 308 Kバイト