走査型プローブ顕微鏡によるSiC power-MOSFETの構造観察とその解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集

発行日: 2019/03/01

タイトル(英語): Nanoscale observation of the silicon carbide power MOSFET by scanning probe microscope

著者名: 中島 瑞貴(千葉工業大学),土井 敦史(千葉工業大学),内田 悠貴(千葉工業大学),小嶋 正宏(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),小田 昭紀(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Mizuki Nakajima(Chiba Institute of Technology),Atsushi Doi(Chiba Institute of Technology),Yuki Uchida(Chiba Institute of Technology),Masahiro Kojima(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Akinori Oda(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡,SiC-MOSFET,SCFM,パワー半導体デバイス,パワーエレクトロニクス

要約(日本語): パワー半導体デバイスは，高耐圧化に向かって進歩しており，ワイドバンドギャップ半導体材料および微細加工技術による並列化が容易化，開発，製造されている．我々は，独自に開発した真空圧力環境下で動作する多機能走査型プローブ顕微鏡（AFM/KFM/SCFM）を用い，パワー半導体デバイスのナノスケール観察を達成し，更に，silicon carbide double-diffused MOSFET (SiC-DMOSFET)内の内部構造及びチャネル形成に基づく微分容量変化をナノスケールの分解能で直接観測を可能にした．また，それらの観測結果に基づいたシミュレーション解析によってデバイスの動作状態を考察した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 658 Kバイト